纳米压印光刻(NIL)以远低于光刻技术的成本制作纳米级表面结构。采用精密设计的模具与伺服控制的均匀压力,实现亚100nm图形转印。同时支持UV固化与热压印两种模式。
特征尺寸低于100nm——可实现nano-LED间距控制、抗反射结构、衍射光学元件以及半导体器件特征加工,成本远低于EUV技术。
UV固化:常温作业,加工周期短。热压印:最高200°C,基板兼容性更广。可通过加工配方选择工艺模式。
在整个基板面积上实现主动均匀施力——尤其对模具边缘附近的无缺陷图形转印至关重要。
两种机型变体:ANT-4 (UV光固化) 与 ANT-6H (UV + 热压印混合)。可提供定制设计与制造。
PATENTS
压印辊自动调平系统 (KR 10-2015-0072634) · 压印装置 (KR 10-1408741) · KR 0522040 / US 7,140,866 B2 · KR 0585951 / US 7,202,935 B2 · PCT/KR2006/002230
| ANT-4 — UV 光固化纳米压印 | |
| 固化方式 | UV (紫外光) |
|---|---|
| 压模 | 石英 · Si · PFPE · PDMS · PC |
| 晶圆尺寸 | 1 ~ 4 inch |
| 压印压力 | ≤ 2 bar · 常温 |
| 压印模式 | 单层 / 单步 |
| 压印头 | 芯片级多头 · 多重装夹 / 空气吸附 |
| XYZ 工作台 | 行程 250 × 120 × 25 mm · Z 滑动单元 |
| UV 系统 | 40 mW/cm² (2 kW) |
| 防振 | 截止频率 1 ~ 1.5 Hz |
| 控制器 | UMAC-2 |
| ANT-6H — 热压印 & UV 混合纳米压印 | |
| 固化方式 | UV · 热压印 · UV+热压印 混合 |
| 压模 | 石英 · Si · Ni |
| 晶圆尺寸 | 1 ~ 6 inch |
| 压印模式 | 多层 / 多步 |
| 专利 | KR 0585951 · US 7,202,935 B2 · PCT/KR2006/002230 (申请中: 0043670) |
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